MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ028N04LSATMA1, VDSS 40 V, ID 114 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 222-4627
- Nº ref. fabric.:
- BSZ028N04LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,891 € | 13,37 € |
| 75 - 135 | 0,846 € | 12,69 € |
| 150 - 360 | 0,811 € | 12,17 € |
| 375 - 735 | 0,776 € | 11,64 € |
| 750 + | 0,721 € | 10,82 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4627
- Nº ref. fabric.:
- BSZ028N04LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 114A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS-TM3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 63W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Anchura | 6.1 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 114A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Serie OptiMOS-TM3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 63W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 5.35mm | ||
Anchura 6.1 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS
Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha
Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23
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