MOSFET Infineon BSZ028N04LSATMA1, VDSS 40 V, ID 114 A, TSDSON-8 FL de 8 pines

Código RS:: 222-4627
Nº ref. fabric.:: BSZ028N04LSATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSZ028N04LSATMA1, VDSS 40 V, ID 114 A, TSDSON-8 FL de 8 pines

16825 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 15)

0,925 €

(exc. IVA)

1,119 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
15 - 60	0,925 €	13,875 €
75 - 135	0,879 €	13,185 €
150 - 360	0,841 €	12,615 €
375 - 735	0,805 €	12,075 €
750 +	0,749 €	11,235 €

*precio indicativo

Código RS:: 222-4627
Nº ref. fabric.:: BSZ028N04LSATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - BSZ028N04LSATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Chapado de cable sin plomo

En conformidad con RoHS
Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha
Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	114 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Serie	OptiMOS™
Tipo de Encapsulado	TSDSON-8 FL
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,0028 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Silicio

MOSFET Infineon BSZ028N04LSATMA1, VDSS 40 V, ID 114 A, TSDSON-8 FL de 8 pines

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