MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTHL110N65S3F, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Código RS:: 178-4486
Nº ref. fabric.:: NTHL110N65S3F
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTHL110N65S3F, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:: 178-4486
Nº ref. fabric.:: NTHL110N65S3F
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	30A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Serie	NTHL
	Encapsulado	TO-247
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	110mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Disipación de potencia máxima Pd	240W
	Tensión directa Vf	1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	58nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	15.87mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	20.82mm
	Anchura	4.82 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 30A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Serie NTHL
	Encapsulado TO-247
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 110mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Disipación de potencia máxima Pd 240W
	Tensión directa Vf 1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 15.87mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 20.82mm
	Anchura 4.82 mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features:

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 98 mΩ

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products:

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTHL110N65S3F, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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