MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 75 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 172-3421
- Nº ref. fabric.:
- FCH023N65S3L4
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 172-3421
- Nº ref. fabric.:
- FCH023N65S3L4
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 75A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | FCH | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 23mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 595W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 222nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Altura | 22.74mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 75A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie FCH | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 23mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 595W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 222nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.8mm | ||
Altura 22.74mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia.
700 V a TJ = 150 oC
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 78 nC)
Menor pérdida de conmutación
Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 715 pF)
Menor pérdida de conmutación
Capacitancia optimizada
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Típ. RDS(on) = 62 mΩ
Garantía de soldadura por ola
Informática
Telecomunicaciones
Industriales
Telecomunicaciones / Servidor
Inversor solar / SAI
EVC
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