MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH4LN019N65S3H, VDSS 650 V, ID 75 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 221-6708
- Nº ref. fabric.:
- NTH4LN019N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
23,65 €
(exc. IVA)
28,62 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 424 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 23,65 € |
| 10 - 99 | 20,39 € |
| 100 + | 17,68 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 221-6708
- Nº ref. fabric.:
- NTH4LN019N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 75A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | NTH4LN019N | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 19.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 625W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 282nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 22.74mm | |
| Certificaciones y estándares | These Devices are Pb-Free and are RoHS | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Anchura | 5.2 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 75A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie NTH4LN019N | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 19.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 625W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 282nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 22.74mm | ||
Certificaciones y estándares These Devices are Pb-Free and are RoHS | ||
Longitud 15.8mm | ||
Anchura 5.2 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET on Semiconductor SUPERFET III tiene una familia de MOSFET de unión de super−(SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una−resistencia de conexión baja excepcional y un rendimiento de carga de puerta inferior. Esta Advanced Technology está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad dv/dt extrema.
Carga de puerta ultrabaja
Baja capacitancia de salida efectiva de 2495 pF
100 % a prueba de avalancha
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines