- Código RS:
- 186-1497
- Nº ref. fabric.:
- NVHL027N65S3F
- Fabricante:
- onsemi
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Precio Unidad
18,57 €
(exc. IVA)
22,47 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad |
1 - 9 | 18,57 € |
10 - 24 | 17,08 € |
25 - 99 | 16,36 € |
100 - 249 | 14,14 € |
250 + | 13,70 € |
- Código RS:
- 186-1497
- Nº ref. fabric.:
- NVHL027N65S3F
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Estado RoHS: No cumple
Datos del Producto
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFETs optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.
700 V @ TJ = 150°C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 259 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1972 pF)
PPAP Capable
Typ. RDS(on) = 27.4 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
PPAP Capable
Applications
HV DC/DC converter
End Products
On Board Charger
DC/DC Converter
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 259 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1972 pF)
PPAP Capable
Typ. RDS(on) = 27.4 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
PPAP Capable
Applications
HV DC/DC converter
End Products
On Board Charger
DC/DC Converter
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 75 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
Tipo de Encapsulado | TO-247 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 27,4 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 5V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
Disipación de Potencia Máxima | 595 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±30 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Ancho | 4.82mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 227 nC @ 10 V |
Longitud | 15.87mm |
Altura | 20.82mm |
Estándar de automoción | AEC-Q101 |
Tensión de diodo directa | 1.3V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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