MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVHL027N65S3F, VDSS 650 V, ID 75 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 186-1497
- Nº ref. fabric.:
- NVHL027N65S3F
- Fabricante:
- onsemi
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- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 75A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 27.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 227nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 595W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.82 mm | |
| Altura | 20.82mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 75A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 27.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 227nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 595W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.82 mm | ||
Altura 20.82mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: No cumple
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.
700 V @ TJ = 150°C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 259 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1972 pF)
PPAP Capable
Typ. RDS(on) = 27.4 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
PPAP Capable
Applications
HV DC/DC converter
End Products
On Board Charger
DC/DC Converter
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