Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	75A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	TO-247
	Serie	FCH023N65S3
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	23mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	222nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	595W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±30 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Anchura	4.82 mm
	Altura	20.82mm
	Longitud	15.87mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 75A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado TO-247
	Serie FCH023N65S3
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 23mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 222nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 595W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Anchura 4.82 mm
	Altura 20.82mm
	Longitud 15.87mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia.

700 V a TJ = 150 oC

Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento

Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 78 nC)

Menor pérdida de conmutación

Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 715 pF)

Menor pérdida de conmutación

Capacitancia optimizada

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Típ. RDS(on) = 62 mΩ

Garantía de soldadura por ola

Informática

Telecomunicaciones

Industriales

Telecomunicaciones / Servidor

Inversor solar / SAI

EVC

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FCH023N65S3-F155, VDSS 650 V, ID 75 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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