MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FCH125N65S3R0-F155, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 178-4649
- Nº ref. fabric.:
- FCH125N65S3R0-F155
- Fabricante:
- onsemi
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- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | FCH | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 181W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 20.82mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie FCH | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 181W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 20.82mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
SUPERFET III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de superempalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, la serie SUPERFET III MOSFET Easy drive ayuda a resolver problemas relacionados con EMI y facilita la implementación de diseños.
700 V a TJ = 150 oC
Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 439 pF)
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 46 nC)
Capacitancia optimizada
Típ. RDS(on) = 105 mΩ
Resistencia de compuerta interna: 0,5 Ω
Ventajas:
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Baja pérdida de conmutación
Baja pérdida de conmutación
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Aplicaciones:
Informática
Consumo
Industriales
Productos finales:
Portátil / Ordenador de sobremesa / Videoconsola
Telecomunicaciones / Servidor
SAI/paneles solares
Balasto/iluminación LED
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