MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FCH125N65S3R0-F155, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Código RS:: 178-4649
Nº ref. fabric.:: FCH125N65S3R0-F155
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FCH125N65S3R0-F155, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:: 178-4649
Nº ref. fabric.:: FCH125N65S3R0-F155
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	24A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Serie	FCH
	Encapsulado	TO-247
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	125mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	46nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Disipación de potencia máxima Pd	181W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	20.82mm
	Anchura	4.82 mm
	Longitud	15.87mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 24A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Serie FCH
	Encapsulado TO-247
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Disipación de potencia máxima Pd 181W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 20.82mm
	Anchura 4.82 mm
	Longitud 15.87mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

SUPERFET III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de superempalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, la serie SUPERFET III MOSFET Easy drive ayuda a resolver problemas relacionados con EMI y facilita la implementación de diseños.

700 V a TJ = 150 oC

Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 439 pF)

Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 46 nC)

Capacitancia optimizada

Típ. RDS(on) = 105 mΩ

Resistencia de compuerta interna: 0,5 Ω

Ventajas:

Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento

Baja pérdida de conmutación

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Aplicaciones:

Informática

Consumo

Industriales

Productos finales:

Portátil / Ordenador de sobremesa / Videoconsola

Telecomunicaciones / Servidor

SAI/paneles solares

Balasto/iluminación LED

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FCH125N65S3R0-F155, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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