MOSFET onsemi FCH125N65S3R0-F155, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 178-4239
- Nº ref. fabric.:
- FCH125N65S3R0-F155
- Fabricante:
- onsemi
1 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (En un Tubo de 30)
2,718 €
(exc. IVA)
3,289 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 2,718 € | 81,54 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-4239
- Nº ref. fabric.:
- FCH125N65S3R0-F155
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
SUPERFET III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de superempalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, la serie SUPERFET III MOSFET Easy drive ayuda a resolver problemas relacionados con EMI y facilita la implementación de diseños.
700 V a TJ = 150 oC
Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 439 pF)
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 46 nC)
Capacitancia optimizada
Típ. RDS(on) = 105 mΩ
Resistencia de compuerta interna: 0,5 Ω
Ventajas:
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Baja pérdida de conmutación
Baja pérdida de conmutación
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Aplicaciones:
Informática
Consumo
Industriales
Productos finales:
Portátil / Ordenador de sobremesa / Videoconsola
Telecomunicaciones / Servidor
SAI/paneles solares
Balasto/iluminación LED
Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 439 pF)
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 46 nC)
Capacitancia optimizada
Típ. RDS(on) = 105 mΩ
Resistencia de compuerta interna: 0,5 Ω
Ventajas:
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Baja pérdida de conmutación
Baja pérdida de conmutación
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Aplicaciones:
Informática
Consumo
Industriales
Productos finales:
Portátil / Ordenador de sobremesa / Videoconsola
Telecomunicaciones / Servidor
SAI/paneles solares
Balasto/iluminación LED
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 24 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 125 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.5V |
| Disipación de Potencia Máxima | 181 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±30 V |
| Ancho | 4.82mm |
| Longitud | 15.87mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 46 nC a 10 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 20.82mm |
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