MOSFET onsemi FCH040N65S3-F155, VDSS 650 V, ID 65 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 172-4620
- Nº ref. fabric.:
- FCH040N65S3-F155
- Fabricante:
- onsemi
450 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio Unidad
11,43 €
(exc. IVA)
13,83 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad |
| 1 - 24 | 11,43 € |
| 25 - 74 | 10,49 € |
| 75 - 149 | 9,70 € |
| 150 - 224 | 8,97 € |
| 225 + | 8,60 € |
- Código RS:
- 172-4620
- Nº ref. fabric.:
- FCH040N65S3-F155
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia.
700 V a TJ = 150 oC
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 78 nC)
Menor pérdida de conmutación
Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 715 pF)
Menor pérdida de conmutación
Capacitancia optimizada
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Típ. RDS(on) = 62 mΩ
Garantía de soldadura por ola
Informática
Telecomunicaciones
Industriales
Telecomunicaciones / Servidor
Inversor solar / SAI
EVC
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 78 nC)
Menor pérdida de conmutación
Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 715 pF)
Menor pérdida de conmutación
Capacitancia optimizada
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Típ. RDS(on) = 62 mΩ
Garantía de soldadura por ola
Informática
Telecomunicaciones
Industriales
Telecomunicaciones / Servidor
Inversor solar / SAI
EVC
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 65 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Serie | FCH040N65S3 |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 40 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.5V |
| Disipación de Potencia Máxima | 417 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±30 V |
| Longitud | 15.87mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 136 nC a 10 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 4.82mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 20.82mm |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
- Código RS:
- 172-4620
- Nº ref. fabric.:
- FCH040N65S3-F155
- Fabricante:
- onsemi
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