MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH027N65S3F-F155, VDSS 650 V, ID 75 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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172-3437
Nº ref. fabric.:
NTH027N65S3F-F155
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

75A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

NTH027N65S3F

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

259nC

Disipación de potencia máxima Pd

595W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.82 mm

Altura

20.82mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

15.87mm

Estándar de automoción

No

Este diodo PIN está diseñado para conseguir diseños compactos y eficientes. Se incorporan dos diodos PIN en un encapsulado SC-70. El uso de diodos PIN dobles puede reducir tanto el coste del sistema como el espacio de la placa. Este diodo PIN tiene capacidad PPAP para aplicaciones de automoción.

Capacidad PPAP

Adecuada para aplicaciones de automoción

Sin halógenos y sin plomo

Consideraciones ambientales

Conexión en serie de 2 elementos en un encapsulado de tamaño pequeño

Mejora notablemente la eficiencia de montaje.

El encapsulado MCP3 es compatible con SC-70

Posibilidad de sustitución de SC-70

Capacitancia entre terminales pequeña (C = 0,23 pF típ)

Adecuado para detector de nivel

Resistencia serie directa pequeña (rs = 4,5 Ω máx.)

Adecuado para banda UHF

Control de ganancia automático para antena de radio de automoción

Antena de automoción

Sintonizador de radio de automoción

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