MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 46 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 178-4255
- Nº ref. fabric.:
- NTHL065N65S3F
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 178-4255
- Nº ref. fabric.:
- NTHL065N65S3F
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 650 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 46 A | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Número de pines | 3 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | 1.3 V | |
| Altura | 20.82 mm | |
| Longitud | 15.87 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 65 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 337 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | NTHL | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 98 nC | |
| Anchura | 4.82 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 650 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 46 A | ||
Modo de canal Mejora | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Número de pines 3 | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) 1.3 V | ||
Altura 20.82 mm | ||
Longitud 15.87 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 65 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 337 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie NTHL | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 98 nC | ||
Anchura 4.82 mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features:
700V@TJ=150
Ultra Low Gate Charge (Typ.Qg=98nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ.Coss (eff.)=876pF)
Excellent body diode performance (lowQrr,robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on)=54mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift fullbridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products:
Telecom power
Server power
EV charger
Solar/UPS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V N, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V N, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines