MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH4L060N090SC1, VDSS 650 V, ID 46 A, N, TO-247 de 4 pines

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Código RS:
229-6463
Nº ref. fabric.:
NTH4L060N090SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

46A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

SiC Power

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

84mΩ

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Disipación de potencia máxima Pd

221W

Tensión directa Vf

3.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

87nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5.2 mm

Longitud

15.8mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

22.74mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de la serie SIC Power DE ON Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia DE CONEXIÓN y el tamaño de chip compacto garantizan baja capacitancia y carga de puerta.

Más alta eficacia

Frecuencia de funcionamiento más rápida

Mayor densidad de potencia

EMI reducidas

Tamaño reducido del sistema

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