MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 46 A, N, TO-247 de 4 pines

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Código RS:
229-6462
Nº ref. fabric.:
NTH4L060N090SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

46A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Serie

SiC Power

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

84mΩ

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Disipación de potencia máxima Pd

221W

Tensión directa Vf

3.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

87nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

22.74mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.2 mm

Longitud

15.8mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de la serie SIC Power DE ON Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia DE CONEXIÓN y el tamaño de chip compacto garantizan baja capacitancia y carga de puerta.

Más alta eficacia

Frecuencia de funcionamiento más rápida

Mayor densidad de potencia

EMI reducidas

Tamaño reducido del sistema

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