MOSFET, N-Canal onsemi NVD5C454NT4G, VDSS 40 V, ID 83 A, Mejora, TO-252 de 4 pines
- Código RS:
- 178-4640
- Nº ref. fabric.:
- NVD5C454NT4G
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
14,10 €
(exc. IVA)
17,10 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 10 de noviembre de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,41 € | 14,10 € |
| 100 - 240 | 1,216 € | 12,16 € |
| 250 + | 1,055 € | 10,55 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-4640
- Nº ref. fabric.:
- NVD5C454NT4G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 83A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 56W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.25mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 83A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 56W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.25mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- VN
MOSFET de alimentación de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficaces que incluye alto rendimiento térmico. Ideal para automoción.
Características
Baja resistencia
Capacidad de corriente alta
Capacidad PPAP
Ventajas
Mínimas pérdidas de conducción
Rendimiento de carga resistente
Protección de sobrecarga de tensión
Aplicaciones
Driver de lado bajo
Driver de lado alto
Accionador de motor
Productos finales
Tren de potencia de automoción
Motores de aire acondicionado y calefacción de automoción
Bombas de presión de ABS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-252 de 4 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 50 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines