MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMYS1D3N04CTWG, VDSS 40 V, ID 252 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

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Código RS:
185-9246
Nº ref. fabric.:
NVMYS1D3N04CTWG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

252A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

NVMYS1D3N04C

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.15mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

134W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

75nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.2mm

Anchura

4.25 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No cumple

COO (País de Origen):
PH
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

LFPAK4 Package, Industry Standard

PPAP Capable

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