MOSFET onsemi NTMJS1D0N04CTWG, VDSS 40 V, ID 300 A, LFPAK8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 189-0259
Nº ref. fabric.:: NTMJS1D0N04CTWG
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NTMJS1D0N04CTWG, VDSS 40 V, ID 300 A, LFPAK8 de 8 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 29/10/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

1,462 €

(exc. IVA)

1,769 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	1,462 €	4.386,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 189-0259
Nº ref. fabric.:: NTMJS1D0N04CTWG
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Datasheet NTMJS1D0N04CTWG

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto
Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción
Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador
LFPAK-E Package, Industry Standard
Estos dispositivos no contienen plomo

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	300 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	LFPAK8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	920 μΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	166 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Ancho	4.9mm
Longitud	5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	86 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.2V
Altura	1.2mm

MOSFET onsemi NTMJS1D0N04CTWG, VDSS 40 V, ID 300 A, LFPAK8 de 8 pines, , config. Simple

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Especificaciones

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