MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 262 A, Mejora, LFPAK de 8 pines
- Código RS:
- 201-3408
- Nº ref. fabric.:
- NTMJS1D4N06CLTWG
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
18,54 €
(exc. IVA)
22,43 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 02 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,854 € | 18,54 € |
| 100 - 240 | 1,598 € | 15,98 € |
| 250 + | 1,386 € | 13,86 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 201-3408
- Nº ref. fabric.:
- NTMJS1D4N06CLTWG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 262A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Serie | NTMJS1D4N06CL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.3Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 180W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 103nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 5mm | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 262A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Serie NTMJS1D4N06CL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.3Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 180W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 103nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 5mm | ||
Longitud 4.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N 60V DE ON Semiconductor tiene alimentación industrial en un 5x6mm y se utiliza para un diseño compacto y eficiente, incluido un alto rendimiento térmico. Además, no contiene plomo y es compatible con RoHS.
Baja reducción de las pérdidas de conducción
QG bajo y capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, LFPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, LFPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 4 pines
