MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMJS1D4N06CLTWG, VDSS 60 V, ID 262 A, Mejora, LFPAK de 8 pines

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Código RS:
201-3407
Nº ref. fabric.:
NTMJS1D4N06CLTWG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

262A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

LFPAK

Serie

NTMJS1D4N06CL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

103nC

Disipación de potencia máxima Pd

180W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

5mm

Longitud

4.9mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N 60V DE ON Semiconductor tiene alimentación industrial en un 5x6mm y se utiliza para un diseño compacto y eficiente, incluido un alto rendimiento térmico. Además, no contiene plomo y es compatible con RoHS.

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