MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 330 A, Mejora, LFPAK de 8 pines
- Código RS:
- 189-0257
- Nº ref. fabric.:
- NTMJS0D9N04CLTWG
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
4.983,00 €
(exc. IVA)
6.030,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 09 de septiembre de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,661 € | 4.983,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 189-0257
- Nº ref. fabric.:
- NTMJS0D9N04CLTWG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 330A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | NTMJS0D9N04CL | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 143nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 330A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie NTMJS0D9N04CL | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 143nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de alimentación industrial en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, LFPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 8 pines