MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 258 A, Mejora, LFPAK de 8 pines

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Código RS:
189-0262
Nº ref. fabric.:
NTMYS1D2N04CLTWG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

258A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

NTMYS1D2N04CL

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

134W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

109nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.9 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.2mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de alimentación industrial en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico.

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