MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 258 A, Mejora, LFPAK de 8 pines

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Código RS:
189-0262
Nº ref. fabric.:
NTMYS1D2N04CLTWG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

258A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

LFPAK

Serie

NTMYS1D2N04CL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

134W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

109nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Altura

1.2mm

Anchura

4.9mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de alimentación industrial en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico.

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