MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 133 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

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Código RS:
195-2512
Nº ref. fabric.:
NVMYS3D3N06CLTWG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

133A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

LFPAK

Serie

NVMYS3D3N06CL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

100W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

40.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.15mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Anchura

4.25mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Capacidad MOSFET y PPAP adecuada para aplicaciones de automoción que requieren mayor fiabilidad de nivel de placa.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

Encapsulado Lfpak4, Estándar Del Sector

Capacidad PPAP

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