MOSFET onsemi NVMYS014N06CLTWG, VDSS 60 V, ID 36 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 195-2543
- Nº ref. fabric.:
- NVMYS014N06CLTWG
- Fabricante:
- onsemi
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Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
0,339 €
(exc. IVA)
0,41 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
---|---|---|
3000 + | 0,339 € | 1.017,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 195-2543
- Nº ref. fabric.:
- NVMYS014N06CLTWG
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Capacidad MOSFET y PPAP adecuada para aplicaciones de automoción que requieren mayor fiabilidad de nivel de placa.
Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto
Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción
Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador
Encapsulado Lfpak4, Estándar Del Sector
Capacidad PPAP
Estos dispositivos no contienen plomo
Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción
Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador
Encapsulado Lfpak4, Estándar Del Sector
Capacidad PPAP
Estos dispositivos no contienen plomo
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 36 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
Tipo de Encapsulado | LFPAK, SOT-669 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 4 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 21,5 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1.2V |
Disipación de Potencia Máxima | 37 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Longitud | 5mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 9,7 nC a 10 V |
Ancho | 4.25mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 1.15mm |
Estándar de automoción | AEC-Q101 |
Tensión de diodo directa | 1.2V |
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