MOSFET onsemi NDT451AN, VDSS 30 V, ID 7,2 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

EL on Semiconductor NDT451AN es un transistor de efecto de campo de potencia de modo de mejora de canal SOT N de potencia que se produce con tecnología DMOS de alta densidad de celda. Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia de encendido y proporcionar un rendimiento de conmutación superior.

Capacidad de gestión de alta potencia y corriente en un encapsulado de montaje en superficie ampliamente utilizado

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.