MOSFET onsemi FDT1600N10ALZ, VDSS 100 V, ID 5,6 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 166-2305
Nº ref. fabric.:: FDT1600N10ALZ
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDT1600N10ALZ, VDSS 100 V, ID 5,6 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

1425 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 4000)

0,261 €

(exc. IVA)

0,316 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
4000 +	0,261 €	1.044,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 166-2305
Nº ref. fabric.:: FDT1600N10ALZ
Fabricante:: onsemi

FDT1600N10ALZ, N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 5.6A, 160mOhm
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	5,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Serie	PowerTrench
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	375 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1.4V
Disipación de Potencia Máxima	10,42 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	2,9 nC a 10 V
Ancho	3.7mm
Número de Elementos por Chip	1
Altura	1.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi FDT1600N10ALZ, VDSS 100 V, ID 5,6 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor