MOSFET, N-Canal onsemi FDT1600N10ALZ, VDSS 100 V, ID 5.6 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 864-8732
- Nº ref. fabric.:
- FDT1600N10ALZ
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 25 unidades)*
12,65 €
(exc. IVA)
15,30 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 200 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 850 unidad(es) más para enviar a partir del 21 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,506 € | 12,65 € |
| 100 - 225 | 0,436 € | 10,90 € |
| 250 + | 0,378 € | 9,45 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 864-8732
- Nº ref. fabric.:
- FDT1600N10ALZ
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 375mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 10.42W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.7mm | |
| Anchura | 3.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 375mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 10.42W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.7mm | ||
Anchura 3.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-223 de 4 pines