MOSFET Vishay SUM110P08-11L-E3

El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal P, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 80V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 11,2mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 375W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Componente sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• Interruptores adaptadores
• Interruptores primarios DC/DC
• Interruptores de carga
• Gestión de alimentación