MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 110 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
919-0938
Nº ref. fabric.:
SUM110P06-07L-E3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0088Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

230nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.83mm

Anchura

10.414 mm

Longitud

15.875mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TW
CARACTERÍSTICAS

• MOSFET de potencia TrenchFET®

• paquete con baja resistencia térmica

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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