MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQ2362ES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 4.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 180-8108
- Nº ref. fabric.:
- SQ2362ES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 180-8108
- Nº ref. fabric.:
- SQ2362ES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 75mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 2.64 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 75mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 2.64 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.04mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 95mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 3W mW y una corriente de drenaje continua de 4,3A A. Tiene una tensión de accionamiento de 10V V. Se utiliza en aplicaciones de automoción. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Certificaciones
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado
• UIS probado
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