MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQ2303CES-T1_GE3, VDSS -30 V, ID -2.5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 735-275
- Nº ref. fabric.:
- SQ2303CES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
0,77 €
(exc. IVA)
0,93 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 02 de noviembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,77 € |
| 25 - 99 | 0,53 € |
| 100 - 499 | 0,29 € |
| 500 + | 0,24 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 735-275
- Nº ref. fabric.:
- SQ2303CES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.37Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.9W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.37Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.9W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Longitud 3.04mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- DE
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS -150 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS -20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines