MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQ2303CES-T1_GE3, VDSS -30 V, ID -2.5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
735-275
Nº ref. fabric.:
SQ2303CES-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-2.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.37Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.9W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.12mm

Anchura

2.64 mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

3.04mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
DE

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