MOSFET de potencia, Tipo P-Canal Vishay SQ2361ES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
152-6376
Nº ref. fabric.:
SQ2361ES-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SQ

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.177Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

1.4 mm

Altura

1.02mm

Longitud

3.04mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia TrenchFET®

Categorización de material

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