MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ2315ES-T1_GE3, VDSS 12 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 819-3901
- Nº ref. fabric.:
- SQ2315ES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*
6,88 €
(exc. IVA)
8,32 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 980 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,344 € | 6,88 € |
| 200 - 480 | 0,275 € | 5,50 € |
| 500 - 980 | 0,223 € | 4,46 € |
| 1000 - 1980 | 0,172 € | 3,44 € |
| 2000 + | 0,154 € | 3,08 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 819-3901
- Nº ref. fabric.:
- SQ2315ES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 92mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.02mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie SQ Rugged | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 92mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.02mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS -20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS -40 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines