MOSFET Vishay SQ2337ES-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 2,2 A, TO-236 de 3 pines

El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 80V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 290mohm a una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 3W mW y una corriente de drenaje continua de 2,2A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este MOSFET es de 6V V y 10V V respectivamente. Se utiliza en aplicaciones de automoción. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado
• UIS probado