MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ2337ES-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 2.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 180-8076
- Nº ref. fabric.:
- SQ2337ES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8076
- Nº ref. fabric.:
- SQ2337ES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 314mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11.5nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Anchura | 2.64 mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 314mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.5nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 3.04mm | ||
Anchura 2.64 mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 80V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 290mohm a una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 3W mW y una corriente de drenaje continua de 2,2A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este MOSFET es de 6V V y 10V V respectivamente. Se utiliza en aplicaciones de automoción. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Certificaciones
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado
• UIS probado
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