MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRFPC40PBF, VDSS 600 V, ID 6.8 A, TO-247AC, config. Simple
- Código RS:
- 180-8337
- Nº ref. fabric.:
- IRFPC40PBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8337
- Nº ref. fabric.:
- IRFPC40PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 60nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Longitud | 16.25mm | |
| Anchura | 15.87 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 60nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Longitud 16.25mm | ||
Anchura 15.87 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-247AC-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 600V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 1,2ohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 150W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Índice dv/dt dinámico
• Facilidad de conexión en paralelo
• Cambio rápido
• Orificio de montaje central aislado
• Componente sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre -55°C y 150°
• avalancha repetitiva
• Requisitos sencillos de la unidad
Aplicaciones
• Cargador de baterías
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
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