MOSFET Vishay, N-Canal IRL540PBF, VDSS 100 V, ID 28 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 180-8359
- Nº ref. fabric.:
- IRL540PBF
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 180-8359
- Nº ref. fabric.:
- IRL540PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 28A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.077Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 64nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 28A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.077Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 64nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de Vishay es un encapsulado de canal N, el TO-220-3 es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100 V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20 V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 77 mohm a una tensión de fuente de puerta de 5 V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 150 W. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida útil larga y productiva sin comprometer el rendimiento o la funcionalidad.
Características y ventajas
• Valor nominal dV/dt dinámico
• Facilidad de paralelismo
• Conmutación rápida
• Componente sin plomo (Pb)
• Unidad de puerta de nivel lógico
• Rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 175 °C
• El RDS (on) especificado en VGS es de 4 V y 5 V
• Valor nominal de avalancha repetitiva
Aplicaciones
• Cargadores de batería
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)
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