MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 18 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 919-4895
- Nº ref. fabric.:
- IRLZ24NPBF
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 919-4895
- Nº ref. fabric.:
- IRLZ24NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 45W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -16V, +16V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 8.77mm | |
| Anchura | 4.69mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC TO-220AB, ANSI Y14.5M, 1982 | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 45W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -16V, +16V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 8.77mm | ||
Anchura 4.69mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC TO-220AB, ANSI Y14.5M, 1982 | ||
Longitud 10.54mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 18 A, disipación de potencia máxima de 45 W - IRLZ24NPBF
Este MOSFET es un componente esencial para diversas aplicaciones de potencia, conocido por su eficaz rendimiento y sus robustas especificaciones. La tecnología HEXFET de Infineon garantiza la precisión en los diseños electrónicos, lo que la convierte en una opción popular en las industrias de automatización y mecánica. Controla eficazmente el flujo de corriente en los dispositivos, lo que repercute significativamente en los sistemas eléctricos modernos.
Características y ventajas
• Admite una corriente de drenaje continua máxima de 18 A para un alto rendimiento
• Funciona con una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V para aplicaciones versátiles
• La baja tensión de umbral de puerta minimiza la pérdida de energía durante el funcionamiento
• Baja resistencia de drenaje-fuente para mejorar la eficiencia
• Modo de mejora para una conmutación precisa
• Soporta temperaturas de hasta +175 °C para funcionar en condiciones adversas
Aplicaciones
• Utilizado para la gestión de la energía en sistemas de automatización industrial
• Integrado en fuentes de alimentación conmutadas para un rendimiento óptimo
• Se emplea en circuitos de accionamiento de motores para mejorar el control
• Incorporado en varios aparatos electrónicos de consumo para un rendimiento fiable
¿Cuáles son las tensiones puerta-fuente recomendadas para un funcionamiento correcto?
El dispositivo puede manejar una tensión puerta-fuente máxima de -16 V a +16 V, lo que garantiza un rendimiento estable.
¿Puede utilizarse este componente en entornos de alta temperatura?
Sí, funciona eficazmente a temperaturas comprendidas entre -55 °C y +175 °C, por lo que es adecuada para diversas aplicaciones.
¿Cómo influye la baja Rds(on) en el consumo de energía?
Una baja resistencia de drenaje-fuente minimiza la pérdida de potencia, mejorando la eficiencia global y reduciendo la generación de calor durante el funcionamiento.
¿Qué hay que tener en cuenta durante la instalación?
Debe prestarse la debida atención al tipo de montaje para garantizar una instalación segura y una refrigeración adecuada para evitar el sobrecalentamiento.
¿Este componente es compatible con los encapsulados TO-220AB estándar?
Sí, su diseño se ajusta a la norma TO-220AB, lo que facilita su integración en los sistemas existentes.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 55 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 55 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET Infineon VDSS 55 V JEDEC TO-220AB 1, config. Simple
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines