MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRF3205Z, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 737-7436
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF3205Z
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 737-7436
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF3205Z
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 76nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 16.51mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 76nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 16.51mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de canal N para automoción, Infineon
La amplia cartera de dispositivos de canal N sencillos de Infineon con certificación AECQ-101 para automoción sirve para una gran variedad de requisitos de alimentación en muchas aplicaciones. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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