MOSFET Infineon IRLZ24NPBF, VDSS 55 V, ID 18 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 541-1231
Nº ref. fabric.:: IRLZ24NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRLZ24NPBF, VDSS 55 V, ID 18 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

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Nº ref. fabric.:: IRLZ24NPBF
Fabricante:: Infineon

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MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 18 A, disipación de potencia máxima de 45 W - IRLZ24NPBF

Este MOSFET es un componente esencial para diversas aplicaciones de potencia, conocido por su eficaz rendimiento y sus robustas especificaciones. La tecnología HEXFET de Infineon garantiza la precisión en los diseños electrónicos, lo que la convierte en una opción popular en las industrias de automatización y mecánica. Controla eficazmente el flujo de corriente en los dispositivos, lo que repercute significativamente en los sistemas eléctricos modernos.

Características y ventajas

• Admite una corriente de drenaje continua máxima de 18 A para un alto rendimiento
• Funciona con una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V para aplicaciones versátiles
• La baja tensión de umbral de puerta minimiza la pérdida de energía durante el funcionamiento
• Baja resistencia de drenaje-fuente para mejorar la eficiencia
• Modo de mejora para una conmutación precisa
• Soporta temperaturas de hasta +175 °C para funcionar en condiciones adversas

Aplicaciones

• Utilizado para la gestión de la energía en sistemas de automatización industrial
• Integrado en fuentes de alimentación conmutadas para un rendimiento óptimo
• Se emplea en circuitos de accionamiento de motores para mejorar el control
• Incorporado en varios aparatos electrónicos de consumo para un rendimiento fiable

¿Cuáles son las tensiones puerta-fuente recomendadas para un funcionamiento correcto?

El dispositivo puede manejar una tensión puerta-fuente máxima de -16 V a +16 V, lo que garantiza un rendimiento estable.

¿Puede utilizarse este componente en entornos de alta temperatura?

Sí, funciona eficazmente a temperaturas comprendidas entre -55 °C y +175 °C, por lo que es adecuada para diversas aplicaciones.

¿Cómo influye la baja Rds(on) en el consumo de energía?

Una baja resistencia de drenaje-fuente minimiza la pérdida de potencia, mejorando la eficiencia global y reduciendo la generación de calor durante el funcionamiento.

¿Qué hay que tener en cuenta durante la instalación?

Debe prestarse la debida atención al tipo de montaje para garantizar una instalación segura y una refrigeración adecuada para evitar el sobrecalentamiento.

¿Este componente es compatible con los encapsulados TO-220AB estándar?

Sí, su diseño se ajusta a la norma TO-220AB, lo que facilita su integración en los sistemas existentes.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	60 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	45 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	15 nC a 5 V
Ancho	4.69mm
Material del transistor	Si
Longitud	10.54mm
Tensión de diodo directa	1.3V
Altura	8.77mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C