MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRLZ34PBF, VDSS 60 V, ID 30 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines, 1
- Código RS:
- 180-8365
- Nº ref. fabric.:
- IRLZ34PBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8365
- Nº ref. fabric.:
- IRLZ34PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.05Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 88W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±10 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 14.4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC | |
| Anchura | 10.52 mm | |
| Altura | 6.48mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.05Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 88W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±10 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 14.4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC | ||
Anchura 10.52 mm | ||
Altura 6.48mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-220AB-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 10V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 50Mohm a una tensión de fuente de puerta de 5V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 88W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Índice dv/dt dinámico
• Facilidad de conexión en paralelo
• Cambio rápido
• Componente sin plomo (Pb)
• Controlador de puerta nivel lógico
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• Requisitos sencillos de la unidad
Aplicaciones
• Cargador de baterías
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
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