MOSFET Infineon IRFZ44EPBF, VDSS 60 V, ID 48 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 541-1809
Nº ref. fabric.:: IRFZ44EPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFZ44EPBF, VDSS 60 V, ID 48 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 48 A, disipación de potencia máxima de 110 W - IRFZ44EPBF

Este MOSFET presenta una configuración de canal N, lo que lo hace adecuado para aplicaciones industriales y de automatización. Admite una elevada corriente de drenaje continua, lo que resulta ventajoso para aplicaciones de potencia. Diseñado para mejorar la eficiencia, es ideal para sistemas eléctricos y electrónicos en los que se necesita una conmutación rápida y durabilidad.

Características y ventajas

• Capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 48 A para un funcionamiento eficaz
• Funciona con una tensión de drenaje-fuente de 60 V para la gestión de la energía
• La baja Rds(on) mejora la eficiencia y reduce la pérdida de potencia
• Envasado en TO-220AB para facilitar la instalación y la disipación del calor
• Totalmente apto para avalanchas, lo que garantiza su fiabilidad en condiciones de estrés

Aplicaciones

• Circuitos de alimentación para aumentar la eficiencia
• Control del motor en tareas de automatización
• Convertidores CC-CC para regular la tensión
• Sistemas de gestión de baterías de alto rendimiento
• Dispositivos electrónicos de conmutación para mejorar el control

¿Cuál es la tensión puerta-fuente máxima para un funcionamiento seguro?

La tensión máxima entre la puerta y la fuente es de ±20 V, lo que garantiza el correcto funcionamiento y la seguridad durante la operación.

¿Cómo puede montarse eficazmente este componente?

Está diseñado para el montaje a través de orificios, lo que facilita una fijación robusta a diseños de placas de circuito impreso o disipadores térmicos.

¿Qué ocurre si el dispositivo supera su temperatura máxima de unión?

Superar la temperatura máxima de unión de 175°C puede provocar daños térmicos

por lo tanto, es esencial una gestión adecuada de la refrigeración.

¿Puede utilizarse en aplicaciones de conmutación de alta velocidad?

Sí, admite capacidades de conmutación rápida, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren un procesamiento rápido de la señal.

¿Cuál es la capacidad típica de disipación de potencia a temperatura ambiente?

A 25 °C, puede disipar hasta 110 W, lo que le permite manejar un flujo de potencia considerable sin sobrecalentarse.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	48 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	23 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	110 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	10.54mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	60 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	4.69mm
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	8.77mm
Tensión de diodo directa	1.3V