MOSFET de potencia, N-Canal Infineon IRFZ44EPBF, VDSS 60 V, ID 48 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 541-1809
- Nº ref. fabric.:
- IRFZ44EPBF
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 541-1809
- Nº ref. fabric.:
- IRFZ44EPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 60 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 48 A | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Número de pines | 3 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | 1.3 V | |
| Altura | 8.77 mm | |
| Longitud | 10.54 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 0.023 Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20 V, +20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 110 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | HEXFET | |
| Certificaciones y estándares | ANSI Y14.5M, JEDEC TO-220AB | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 60 nC | |
| Anchura | 4.69 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 60 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 48 A | ||
Modo de canal Mejora | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Número de pines 3 | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) 1.3 V | ||
Altura 8.77 mm | ||
Longitud 10.54 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.023 Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20 V, +20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 110 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie HEXFET | ||
Certificaciones y estándares ANSI Y14.5M, JEDEC TO-220AB | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 60 nC | ||
Anchura 4.69 mm | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 48A Maximum Continuous Drain Current, 110W Maximum Power Dissipation - IRFZ44EPBF
This MOSFET features an N-channel configuration, making it suitable for industrial and automation applications. It supports high continuous drain current, which is advantageous for power applications. Designed for enhanced efficiency, it is Ideal for electric and electronic systems where quick switching and durability are necessary.
Features & Benefits
• Continuous drain current capability up to 48A for effective operation
• Operates at a drain-source voltage of 60V for power management
• Low Rds(on) improves efficiency and reduces power loss
• Packaged in TO-220AB for straightforward installation and heat dissipation
• Fully avalanche rated, ensuring reliability under stress conditions
Applications
• Power supply circuits for increased efficiency
• Motor control in automation tasks
• DC-DC converters for voltage regulation
• High-performance battery management systems
• Electronic switching devices for enhanced control
What is the maximum gate-to-source voltage for safe operation?
The maximum gate-to-source voltage is ±20V, ensuring proper functionality and safety during operation.
How can this component be effectively mounted?
It is designed for through-hole mounting, facilitating a robust attachment to PCB layouts or heatsinks.
What happens if the device exceeds its maximum junction temperature?
Exceeding the maximum junction temperature of 175°C can result in thermal damage; therefore, proper cooling management is essential.
Can this be used in high-speed switching applications?
Yes, it supports fast switching capabilities, making it suitable for applications requiring Rapid signal processing.
What is the typical power dissipation capability at room temperature?
At 25°C, it can dissipate up to 110W, allowing it to handle substantial power flow without overheating.
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