MOSFET, N-Canal DiodesZetex, VDSS 20 V, ID 4.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 182-6890
- Nº ref. fabric.:
- DMN2058UW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 182-6890
- Nº ref. fabric.:
- DMN2058UW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | DMN2058U | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 91mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.13W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.4mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie DMN2058U | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 91mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.13W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.4mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Low On-Resistance
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Totally Lead-Free
Halogen and Antimony Free. “Green” Device.
Applications
Motor Control
Power Management Functions
Backlighting
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