MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex, VDSS 20 V, ID 4.7 A, Mejora, X2-DFN de 3 pines
- Código RS:
- 182-6912
- Nº ref. fabric.:
- DMP2045UFY4-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
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| 9000 - 12000 | 0,078 € | 234,00 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 182-6912
- Nº ref. fabric.:
- DMP2045UFY4-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | X2-DFN | |
| Serie | DMP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 160mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.49W | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.57 mm | |
| Longitud | 2.07mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado X2-DFN | ||
Serie DMP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 160mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.49W | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.57 mm | ||
Longitud 2.07mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Low On-Resistance
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
ESD Protected
Totally Lead-Free
Halogen and Antimony Free. “Green” Device.
Applications
Backlighting
Power Management Functions
DC-DC Converters
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