MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex DMP45H150DHE-13, VDSS 450 V, ID 0.25 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 182-7409
- Nº ref. fabric.:
- DMP45H150DHE-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 0,399 € | 19,95 € |
| 250 - 450 | 0,349 € | 17,45 € |
| 500 - 950 | 0,279 € | 13,95 € |
| 1000 - 1950 | 0,233 € | 11,65 € |
| 2000 + | 0,215 € | 10,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 182-7409
- Nº ref. fabric.:
- DMP45H150DHE-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 450V | |
| Serie | DMP | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 150mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 59.4W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.55 mm | |
| Altura | 1.65mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.55mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 450V | ||
Serie DMP | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 59.4W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.55 mm | ||
Altura 1.65mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.55mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
This 450V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a variety of Telecom and general high voltage switching circuits.
Low Gate Drive
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Totally Lead-Free
Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Applications
Load Switching
Uninterrupted Power Supply
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