MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 200 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 184-4156
- Nº ref. fabric.:
- 2N7000-D26Z
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
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| 6000 - 8000 | 0,093 € | 186,00 € |
| 10000 + | 0,091 € | 182,00 € |
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- Código RS:
- 184-4156
- Nº ref. fabric.:
- 2N7000-D26Z
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 200mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | 2N7000 | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.88V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 400mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.2mm | |
| Anchura | 4.19mm | |
| Altura | 5.33mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 200mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie 2N7000 | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.88V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 400mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.2mm | ||
Anchura 4.19mm | ||
Altura 5.33mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
These N-channel Small Signal MOSFETs are produced using ON Semiconductor's proprietary, high cell density, DMOS technology. These products have been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400 mA DC and can deliver pulsed currents up to 2 A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications.
Voltage Controlled Small Signal Switch
High Saturation Current Capability
Rugged and Reliable
High Density Cell Design for Low RDS(ON)
Applications
Small Servo Motor Control
Power MOSFET Gate Drivers
Assorted Switching Applications
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