MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 50 V, ID 200 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
184-4196
Nº ref. fabric.:
BVSS138LT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

200mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

50V

Serie

BVSS13L

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

225mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.04mm

Altura

1.01mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.4mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. 50V, 200mA, 3.5 Ohm, Single N-Channel, SOT-23, Logic Level, Pb−Free. PPAP capable suitable for automotive applications.

Low Threshold Voltage (VGS(th): 0.5 V-1.5 V)

Miniature Surface Mount Package

Easy to drive it with low voltages

It saves board space

Applications

Low power switch

Digital switch

Any low current automotive application

End Products

Infotainment (Entertainment, multimedia and navigation systems, etc.)

Body Control Modules (BCM, fob keys, gateways, LF systems, HVAC, etc.)

Security systems

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