MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVTFS6H888NTAG, VDSS 80 V, ID 12 A, Mejora, WDFN de 8 pines

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Código RS:
185-9125
Nº ref. fabric.:
NVTFS6H888NTAG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

WDFN

Serie

NVTFS6H888N

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

55mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

18W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

0.75mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.15 mm

Longitud

3.15mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No cumple

COO (País de Origen):
MY
Automotive Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Small Footprint (3.3 x 3.3 mm)

Low On-Resistance

Low Capacitance

NVTFS6H850NWF − Wettable Flanks Product

PPAP Capable

Compact Design

Minimizes Conduction Losses

Minimize Driver Losses

Enhanced Optical Inspection

Suitable for Automotive Applications

Applications

Reverser Battery protection

Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)

Switching power supplies

End Products

Solenoid Driver – ABS, Fuel injection

Motor Control – EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.

Load Switch – ECU, Chassis, Body

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