MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
186-1285
Nº ref. fabric.:
NVHL110N65S3F
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

110mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

58nC

Disipación de potencia máxima Pd

240W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

15.87mm

Anchura

4.82 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

20.82mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No cumple

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.

700 V @ TJ = 150°C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)

PPAP Capable

Typ. RDS(on) = 93 mΩ

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

PPAP Capable

Applications

HV DC/DC converter

End Products

On Board Charger

DC/DC Converter

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