Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	40A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Serie	NTH
	Encapsulado	TO-247
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	82mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	81nC
	Tensión directa Vf	1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd	313W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4.82 mm
	Longitud	15.87mm
	Altura	20.82mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 40A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Serie NTH
	Encapsulado TO-247
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 82mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 81nC
	Tensión directa Vf 1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd 313W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4.82 mm
	Longitud 15.87mm
	Altura 20.82mm
	Estándar de automoción No

SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para los diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia. El rendimiento de recuperación inversa optimizado de MOSFET SuperFET III FRFET® puede eliminar componentes adicionales y mejorar la fiabilidad del sistema.

700 V a TJ = 150 °C

Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento

Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 81 nC)

Menor pérdida de conmutación

Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 722 pF)

Menor pérdida de conmutación

Excelente rendimiento de diodo de cuerpo (bajo Qrr, diodo de cuerpo sólido)

Mayor fiabilidad del sistema en circuito de puente completo de desplazamiento de fase y LLC

Capacitancia optimizada

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Típ. RDS(on) = 70 mΩ

Aplicaciones

Telecomunicaciones

Sistema en la nube

Industriales

Alimentación de telecomunicaciones

Alimentación de servidores

Cargador EV

Solar / SAI

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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