MOSFET onsemi NTHL082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 172-8980
Nº ref. fabric.:: NTHL082N65S3F
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NTHL082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

1 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

9,488 €

(exc. IVA)

11,48 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 - 5	9,488 €	47,44 €
10 - 95	8,50 €	42,50 €
100 - 245	8,278 €	41,39 €
250 - 495	8,066 €	40,33 €
500 +	7,862 €	39,31 €

*precio indicativo

Código RS:: 172-8980
Nº ref. fabric.:: NTHL082N65S3F
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para los diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia. El rendimiento de recuperación inversa optimizado de MOSFET SuperFET III FRFET® puede eliminar componentes adicionales y mejorar la fiabilidad del sistema.

700 V a TJ = 150 °C
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 81 nC)
Menor pérdida de conmutación
Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 722 pF)
Menor pérdida de conmutación
Excelente rendimiento de diodo de cuerpo (bajo Qrr, diodo de cuerpo sólido)
Mayor fiabilidad del sistema en circuito de puente completo de desplazamiento de fase y LLC
Capacitancia optimizada
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Típ. RDS(on) = 70 mΩ
Aplicaciones
Telecomunicaciones
Sistema en la nube
Industriales
Alimentación de telecomunicaciones
Alimentación de servidores
Cargador EV
Solar / SAI

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	TO-247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	82 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	313 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	4.82mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	81 nC a 10 V
Longitud	15.87mm
Tensión de diodo directa	1.3V
Altura	20.82mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi NTHL082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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