MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 65 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
178-4253
Nº ref. fabric.:
NTHL040N65S3F
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

65A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

NTHL

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

158nC

Disipación de potencia máxima Pd

446W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

20.82mm

Longitud

15.87mm

Anchura

4.82 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features

700 V @ TJ = 150

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 158 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1366pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 32 mΩ

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

Benefits

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

End Products

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

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