MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTHL040N65S3F, VDSS 650 V, ID 65 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 178-4448
- Nº ref. fabric.:
- NTHL040N65S3F
- Fabricante:
- onsemi
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- NTHL040N65S3F
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 65A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | NTHL | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 158nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 446W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Anchura | 4.82 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 20.82mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 65A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie NTHL | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 158nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 446W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.87mm | ||
Anchura 4.82 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 20.82mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features
700 V @ TJ = 150
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 158 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1366pF)
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 32 mΩ
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
Benefits
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
End Products
Telecom power
Server power
EV charger
Solar / UPS
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